南韓科技大廠三星電子與全球晶圓代工龍頭臺積電為目前實際擁有最頂尖的先進制程技術(shù)的廠商，三星電子則是在周三(7日) 在2021年三星晶圓代工論壇表示，準(zhǔn)備2025年量產(chǎn)2納米制程，頗有叫戰(zhàn)臺積電意味。不過，依照過往三星給出的先進制程時程表，也不足以證明三星能順利彎道超車。
三星在先前的先進制程時程表指出，本來2021年就要投產(chǎn)3納米制程，但在論壇上提及，要全面轉(zhuǎn)移至最新價購技術(shù)難度相當(dāng)高，2022年上半年才會推出3納米制程，雖然相較于臺積電3納米制程同年下半年才會推出，但臺積電7月法說指出，主要是配合客戶時程。目前三星晶圓代工主要客戶包括美國半導(dǎo)體巨頭高通、伺服器處理器供應(yīng)商IBM、顯卡大廠NVIDIA，以及自家的處理器晶片。
三星集團實際領(lǐng)導(dǎo)人、三星電子副會長李在镕8月假釋出獄后，立即宣布未來3年投入240兆韓圜(約2050億美元) ，鞏固該公司在后疫情時代科技產(chǎn)業(yè)的優(yōu)勢地位，甚至稱該公司下一代制程節(jié)點3納米制程采用環(huán)繞閘極技術(shù)（Gate-All-AroundGAA）不會輸給競爭對手、也就是臺積電。
三星3納米制程研發(fā)規(guī)劃分為2個階段，第一代的GAA GAE(GAA-Early)與第二代3納米GAP(GAA-Plus)，2019年稱3納米GAE制程2020年底前展開風(fēng)險試產(chǎn)，2021年開始量產(chǎn)，但目前未見蹤影，外界認為將延遲到2023年才會量產(chǎn)，但三星目前宣布將在2022年上半年投產(chǎn)。
三星就算宣稱3納米正式流片，預(yù)計2022年上半年量產(chǎn)，但跟先前IBM宣稱推出全球首款2納米GAA技術(shù)，雖然證實技術(shù)的可行性，重點仍在于制程的良率問題，能否脫離實驗室大規(guī)模量產(chǎn)，從5納米制程來看，去年采用三星5納米制程的高通Snapdragon 888就出現(xiàn)過熱問題，也輸給臺積電5納米制程的蘋果A14、M1晶片效能表現(xiàn)，今年蘋果A15 晶片效能更遠勝S888。
三星也強調(diào)，與5納米制程相比，三星首顆3納米制程GAA技術(shù)晶片面積將縮小35%，性能提高30% 或功耗降低50%。三星也表示3納米制程良率正在逼近4納米制程，預(yù)計2022 年推出第一代3 納米3GAE 技術(shù)，，2023 年推出新一代3 納米3GAP技術(shù)，2025 年2 納米2GAP 制程投產(chǎn)。
然而，根據(jù)臺積電年報資訊，3 納米基于EUV技術(shù)展現(xiàn)優(yōu)異的光學(xué)能力，與符合預(yù)期的晶片良率，以減少曝光機光罩缺陷及制程堆疊誤差，并降低整體成本，2 納米及更先進制程上將著重于改善極紫外光技術(shù)的品質(zhì)與成本。
臺積電積極與半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)商、荷商艾司摩爾合作在EUV機臺的緊密合作，不僅取得機臺數(shù)量較為優(yōu)勢，設(shè)備技術(shù)的開發(fā)更至關(guān)重要，這也是臺積電能超越三星、英特爾的關(guān)鍵原因之一，后2者也頻以將大規(guī)模運用EUV曝光機投入產(chǎn)線，英特爾甚至宣布4納米制程將采用高數(shù)值孔徑（High NA）EUV微影技術(shù)，這也是ASML新一代半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備，顯示EUV技術(shù)在先進制程的關(guān)鍵地位。
除了臺積電、三星，英特爾今年宣布重返晶圓代工業(yè)務(wù)，并在今年7月正式宣布推出先進制程技術(shù)藍圖，計畫在未來4年推出5個新世代晶片制程技術(shù)，并宣布將原本的10 納米Enhanced SuperFin正名為Intel 7，原先的7納米正名為Intel 4，之后分別為Intel 3、Intel 20A、Intel 18A 等，也就是說2025年就會達到2納米制程的領(lǐng)域，并追趕超越臺積電。
但依照目前市況來看，臺積電市占率依舊穩(wěn)坐50%以上的龍頭寶座，也有蘋果等大客戶支撐先進制程研發(fā)，最新消息指出，IC設(shè)計公司Marvell宣布采用臺積電3納米制程的全新先進技術(shù)平臺，預(yù)料仍由蘋果搶下首波產(chǎn)能，甚至英特爾也可能下單，比喊出何時投產(chǎn)更為重要。
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